collector voltage

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-base voltage

F. Tension de crête collector-base maximale

U_{КБ, и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение на коллекторе фототранзистора
Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
U_бк
U_дк
U_CB
U_CE
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector voltage

DE

• Kollektorspannung

FR

• tension du collecteur

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

D. Kollektorspannung

E. Collector voltage

F. Tension du collecteur

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ, max}
U_{СEM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-emitter voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-émetteur maximale

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E. Maximum peak collector-emitter voltage

F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale

U_{КЭ, и max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ max}
U_{СB max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-base (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-base maximale

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung

E. Maximum collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base maximale

U_{КБ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер
-
Обозначение
U_{КЭ max}
U_{СE max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum collector-emitter (d.c.) voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

FR

• tension continue collecteur-émetteur maximale

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung

E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-émetteur maximale

U_{КЭ max}

-

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
U_КЭнас
U_СEsat
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• saturation collector-emitter voltage

DE

• Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

FR

• tension de saturation collecteur-émetteur

7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

E. Saturation collector-emitter voltage

F. Tension de saturation collecteur-émetteur

U_КЭнас

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
U_КБ
U_CB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, U_КБО, U_CBO.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• collector-base (d.с.) voltage

DE

• Kollektor-Basis-Spannung

FR

• tension continue collecteur-base

58. Постоянное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Spannung

E. Collector-base (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-base

U²_КБ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера.
Обозначение
U_КЭ
U_CE
Примечание
При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, U_КЭО, U_CEO;
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, U_КЭR, U_CER;
при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, U_КЭК, U_CES;
при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база, U_КЭХ, U_CEX.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• collector-emitter (d.с.) voltage

DE

• Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

FR

• tension continue collecteur-émetteur

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Collector-emitter (d.c.) voltage

F. Tension continue collecteur-émetteur

U³_КЭ

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
U_{КБОпроб}
U_(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• breakdown collector-base voltage

DE

• Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

FR

• tension de claquage collecteur-base

12. Пробивное напряжение коллектор-база

D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

E. Breakdown collector-base voltage

F. Tension de claquage collecteur-base

U_{КБОпроб}

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение коллектор-эмиттер
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора.
Обозначение
U_КЭпроб
Примечание
При токе базы, равном нулю, U_{КЭО проб}, U_(BR)CEO ;
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, U_{КЭR проб}, U_(BR)CER ;
при коротком замыкании в цепи база-эмиттер, U_{КЭK проб}, U_(BR)CES ;
при заданном обратном напряжении база-эмиттер, U_{КЭX проб}, U_(BR)CEX.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• breakdown collector-emitter voltage

DE

• Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

FR

• tension de claquage collecteur-émetteur

13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер

D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen)

E. Breakdown collector-emitter voltage

F. Tension de claquage collecteur-émetteur

Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
U_{эпр к}
U_{BR CEO}
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

DE

• Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

FR

• tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor

105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor

Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
U_кпрэ
U_{BR ECO}
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

DE

• Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors

FR

• tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor

108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors

E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
U_{КБ,и max}
U_{СBM max}
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• maximum peak collector-base voltage

DE

• maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung

FR

• tension de crête collecteur-base maximale

пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
U_{кпр к}
U_{BR CBO}
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• collector-base breakdown voltage of a phototransistor

DE

• Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

FR

• tension de claquage collecteur-base de phototransistor

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-base de

phototransistor

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа